SIRA66DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIRA66DP-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
6000+ | $0.3959 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 62.5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIRA66 |
SIRA66DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIRA66DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIRA66DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|